高中 解答

下列敘述何者錯誤? 圖(二十二)

如圖(二十二)所示為一 PNP 型電晶體電路,若電晶 體 V 為 0.7 V,β 值為 150,試求 A  II  ? EB i o i

如圖(二十一)所示電路,若已知 C  C  10 F , V  0.7 V ,   h  100 , V  26 mV ,試求出 i o BE fe T 此放大電路的 A  VV 為多少? V o i

如圖(二十)所示之矽質電晶體電路,假設 V  0.7 V ,  100 , 試問 I 約為下列何值? BE

如圖(十九)-a 及圖(十九)-b 所示電路與直流負載線,請問 R 應為多少才能滿足 Q 點之條件? B 圖(十九)-a 圖(十九)-b

如圖(十八)所示電路,假設電晶體的   50 , V  0.7 V ,求電路中 V 點 的電壓大約為何? BE

如圖(十七)所示電晶體開關電路,繼電器線圈的內阻為 250 Ω,已知   100 、 V  0.7 V , V  0.2 V ; BE (ON) CE(sat ) 若要確保電晶體導通時進入飽和區,請問電阻 R 的最 大值不可超過多少?

如圖( 十六)所示為一矽質電晶體電路,請問該電晶體工作於什麼區 域?

如圖(十五)所示電路,若 D 、 D 為理想二極體, V  110sin 377t , N :N  4:1,V  V ,R  2 k , 1 2 C  22 F ,求其輸出電壓漣波百分比大約為多少? i 1 2 S1 S2 L

如圖(十四)所示電路,其名稱為何?

純矽半導體本質濃度 N  1.5  10 原子/cm ,其密度為 5  10 原子/cm ,若每 2  10 個原子加入一個鎵 10 3 22 3 8 原子,則會成為何種類型之半導體?其電子濃度為多少? i

有關矽質 P/N 二極體之敘述,下列何者錯誤?

如圖(十二)所示電路,電路之平均功率及虛功率分別為多少?

如圖(十一)所示電路,求 A 點電位為多少伏特?

如圖(十)所示電路,試求負載 R 可獲得的最大功率為多少瓦特? L

如圖(九)-1、圖(九)-2 所示電路,欲將圖(九)-1 任兩點電阻值 等效於圖(九)-2 任兩點電阻值,若圖(九)-1 的 R 皆為 12 Ω, 試求圖(九)-2 之 R 為多少歐姆? X

如圖(八)所示為一交流 RLC 串聯電路,若欲使其電路達到串聯諧振, 則交流電源的頻率要選擇約幾赫茲?

如圖(七)所示電路,此電阻電容電路在開關閉合前已達穩定狀態,當開 關 sw 閉合 10 秒後,試問電容兩端的電壓 V 約為多少?

有一封閉磁路平均長度 160 公分,若磁路上繞有一線圈 32 匝,線圈上電流 6 安培,則磁路中磁場強度 為多少安匝/公尺?

如圖(六)所示,在真空中兩個電荷相距 3 m,試求 a 點之電場強度及電位為何?

有一個 50 μF 的電容器充電至 50 V 時,則此電容器共儲存了多少焦耳的能量?

有一臺 220 V、60 Hz 的交流電動機,其輸出功率為 60 kW、功率因數為 0.6 滯後,若今天想並聯一個電 容器來改善功率因數至 0.8 滯後,試問此電容器所提供之虛功率為多少乏?

平衡三相  連接負載,經過量測後得知線電流為 1.732 A,試問每相的相電流會是多少安培?

如圖(五)-1 所示電路,電壓源包含電動勢 E 及內阻 R,若使用理 想電壓表測得端電壓 V 為 25 V,接著如圖(五)-2 所示,加入 20 Ω 的負載後測得電壓變為 20 V,試求內阻 R 為多少歐姆?