高中 解答

將規格 20 W/100 V、50 W/100 V、80 W/100 V 的三個燈泡,當三者串聯,所能外加的最大電壓為若干, 才不會燒毀任何燈泡?

一個效率為 75%的馬達,其工作電壓為 100 伏特,工作電流為 10 A,輸出功率為多少瓦特?

一個正電荷由高電位移向低電位需作:

如圖(十八)所示之電路為何?

如圖(十七)所示之電路,若運算放大器具理想特性且 V  10V , 試求電流源 I 為何? o 1

如圖(十六)所示之電路,若運算放大器具理想特性,則下列 敘述何者正確?

如圖(十五)所示之電路,若運算放大器具理想特性,試求電 壓增益 A  VV 為何?V o i

下列何者不是理想運算放大器的特性?

如圖(十四)所示之電路,若 I  16 mA ,| V |  4 V , V  3 V , 則下列敘述何者正確? DSS P GS

如圖(十三) 所示之電路,若 MOSFET 的臨界電壓 V  1 V ,且飽和區電流 I  K  (V  V ) ,其中 K  1 mA/V ,則當 V  5 V 、R  3 k,電壓 V T 2 2 為多少? D GS T DD D DS

如圖(十一)所示之電路,若 V  2V ,則電壓增益 分貝數為何? V o i V i

對於多級放大耦合電路,下列何種耦合電路具有良好的低頻響應?

如圖(十)所示之電路,若電晶體的切入電壓 V  0.7 V ,  0.2V ,熱電壓 V  25 mV ,則下列敘述何者錯誤? BE V CE(sat ) T

如圖(九)所示之電路,若電晶體的切入電壓 V  0.7 V , V  0.2 V , EC(sat)  0.5 V ,若    且熱電壓 V  25 mV ,則該電晶體放大電路的電 BE V CB(sat) T 壓增益 A  VV 為何? V o i

如圖(八-a)所示為集極回授偏壓法,圖(八-b)為該 電路之直流負載線,若 V  0.7 V 、   100 、 且射極電阻端電壓為 4 V,則下列敘述何者正 BE 確?

如圖(七)所示之電晶體電路,若 I   I ,則下列敘述何者正確?

如圖(六)所示之電路,若電晶體的 V  0.7 V , V  0.2 V ,試求 BE CE(sat ) 電流 I 及 I 為多少?

如圖(四-a)所示為稽納二極體(Zener)電路,圖(四-b)為稽納二極體(Zener)的特性曲線,試求稽納二極體消 耗多少瓦特? 圖(四-a) 圖(四-b)

如圖(三)所示之電路,若二極體為理想且輸入 電壓 V  10 V,工作週期為 20%之連續性方 波,若直流伏特表指示 4 V,則直流偏壓 E 為 i 多少伏特?

如圖(二)所示之電路,若所有元件均具理想特性,則下列敘述何者正確?

如圖(一)所示之電路,以理想直流電壓表測量負載電阻 R 的端電壓 L V  E L R RR ,則下列何者為較可能之原因?(若二極體的切入電 L L 壓皆相同且內阻為 0 Ω)

有關半導體以及二極體的敘述,下列何者正確?

下列電子元件若依照電腦發展的演進過程,其正確順序為: ○電晶體 ○真空管 ○VLSI ○ULSI 1 2 3 4

某物質經過 40 cm 長的層析管柱,所得圖譜中的波峰底寬為 7 秒,滯留時間為 35 秒,則其理論板高為 多少?