高中・其他 解答

欲使 P 通道空乏型 MOSFET 工作時,其閘極電壓要加?

若欲使一 N 通道 JFET 放大電路之工作點定在 I  0.5 I ,則其 V 與 V 關係為?(註: 50  7.07 ) D DSS GS GS(off )

對於一個增強型 NMOS 電晶體而言,圖(二十三)中哪一個區域屬於 飽和區?

若 32 個完全相同規格的喇叭同時發出聲響,其輸出功率會比 2 個完全相同規格的喇叭同時發出聲響 時,高出約多少分貝(dB)? log2 log3 log4 log5 log6 log8 log9 log10 0.301 0.477 0.602 0.699 0.778 0.903 0.954 1

下列敘述何者錯誤? 圖(二十二)

如圖(二十二)所示為一 PNP 型電晶體電路,若電晶 體 V 為 0.7 V,β 值為 150,試求 A  II  ? EB i o i

如圖(二十一)所示電路,若已知 C  C  10 F , V  0.7 V ,   h  100 , V  26 mV ,試求出 i o BE fe T 此放大電路的 A  VV 為多少? V o i

如圖(二十)所示之矽質電晶體電路,假設 V  0.7 V ,  100 , 試問 I 約為下列何值? BE

如圖(十九)-a 及圖(十九)-b 所示電路與直流負載線,請問 R 應為多少才能滿足 Q 點之條件? B 圖(十九)-a 圖(十九)-b

如圖(十八)所示電路,假設電晶體的   50 , V  0.7 V ,求電路中 V 點 的電壓大約為何? BE

如圖(十七)所示電晶體開關電路,繼電器線圈的內阻為 250 Ω,已知   100 、 V  0.7 V , V  0.2 V ; BE (ON) CE(sat ) 若要確保電晶體導通時進入飽和區,請問電阻 R 的最 大值不可超過多少?

如圖( 十六)所示為一矽質電晶體電路,請問該電晶體工作於什麼區 域?

如圖(十五)所示電路,若 D 、 D 為理想二極體, V  110sin 377t , N :N  4:1,V  V ,R  2 k , 1 2 C  22 F ,求其輸出電壓漣波百分比大約為多少? i 1 2 S1 S2 L

如圖(十四)所示電路,其名稱為何?

純矽半導體本質濃度 N  1.5  10 原子/cm ,其密度為 5  10 原子/cm ,若每 2  10 個原子加入一個鎵 10 3 22 3 8 原子,則會成為何種類型之半導體?其電子濃度為多少? i

有關矽質 P/N 二極體之敘述,下列何者錯誤?

如圖(十二)所示電路,電路之平均功率及虛功率分別為多少?

如圖(十一)所示電路,求 A 點電位為多少伏特?

如圖(十)所示電路,試求負載 R 可獲得的最大功率為多少瓦特? L

如圖(九)-1、圖(九)-2 所示電路,欲將圖(九)-1 任兩點電阻值 等效於圖(九)-2 任兩點電阻值,若圖(九)-1 的 R 皆為 12 Ω, 試求圖(九)-2 之 R 為多少歐姆? X

如圖(八)所示為一交流 RLC 串聯電路,若欲使其電路達到串聯諧振, 則交流電源的頻率要選擇約幾赫茲?

如圖(七)所示電路,此電阻電容電路在開關閉合前已達穩定狀態,當開 關 sw 閉合 10 秒後,試問電容兩端的電壓 V 約為多少?

有一封閉磁路平均長度 160 公分,若磁路上繞有一線圈 32 匝,線圈上電流 6 安培,則磁路中磁場強度 為多少安匝/公尺?

如圖(六)所示,在真空中兩個電荷相距 3 m,試求 a 點之電場強度及電位為何?