如圖(十四)所示為增強型 PMOS 電晶體, I  0.5 mA , V  3 V , k  0.5 mA/V ,臨界電壓 V  1 V ,則設計電晶體操作於飽和區 D D 2 時, R 、 R 、 R 之合理值為何? t

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