如圖(十二)所示,假設為矽場效電晶體元件的 剖面結構,各層使用不同材料,且圖中僅標示 某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓絕對值 為 | V |  0.5 V , V  2 V , V  2 V , V  2 V , V  2 V ,試問由此結構剖面判 th D1 D2 斷此電晶體的閘極氧化層是哪一層? D

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